非易失性存储器一期扩建项目(英特尔半导体大连有限公司(美国独资))
非易失性存储器一期扩建项目(英特尔半导体大连有限公司(美国独资))非易失性存储器一期扩建项目(英特尔半导体大连有限公司(美国独资))工程地址:辽宁省大连市 金普新区(原金州新区)淮河东路 项目阶段:主体施工 该项目建筑面积为159,958平方米,包括新建:数幢1层至4层高简单装修有钢结构的生产厂房部分建材和配置包括:外墙采用铝板和涂料安装钢结构安装数部电梯采用商用大型中央空调采用锅炉供暖 建筑面积: 159958.0平方米 工程造价: 2亿元 计划开工日期: